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Thetametrisis自動化光學膜厚儀

簡要描述:Thetametrisis自動化光學膜厚儀 FR-Scanner自動化超高速薄膜厚度測量儀是一種緊湊的臺式工具,適用于自動測繪晶圓片上的涂層厚度。FR-Scanner 可以快 速和準確測量薄膜特性:厚度,折射率,均勻性,顏色等。真空吸盤可應(yīng)用于任何直徑或其他形狀的樣片。

  • 產(chǎn)品型號:FR-Scanner
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 產(chǎn)品資料:查看pdf文檔
  • 更新時間:2024-06-17
  • 訪  問  量: 2478

詳細介紹

光學厚度測量儀是一種利用光學原理對物體厚度進行測量的設(shè)備。它可以非接觸地、精確地測量各種透明、半透明和不透明材料的厚度,常見于光學、電子、玻璃、塑料、薄膜、涂層等行業(yè)。

光學厚度測量儀的主要特點包括:

1、非接觸測量:使用光學原理進行測量,不需要接觸被測物體,避免了可能對被測物體造成的損傷。

2、測量精度高:由于采用了先進的光學技術(shù)和測量算法,能夠達到高的測量精度。

3、測量范圍廣:可以測量從納米級到毫米級的各種厚度。

4、操作簡便:大部分光學厚度測量儀都配備了易于操作的用戶界面,方便用戶設(shè)定參數(shù)和進行測量。

5、適用材料廣泛:可以測量各種透明、半透明和不透明的材料,包括光纖、玻璃、塑料、薄膜、涂層等。

Thetametrisis自動化光學膜厚儀
FR-Scanner光學厚度測量儀是一種緊湊的臺式工具,適用于自動測繪晶圓片上的涂層厚度。FR-Scanner 可以快 速和準確測量薄膜特性:厚度,折射率,均勻性,顏色等。真空吸盤可應(yīng)用于任何直徑或其他形狀的樣片。

應(yīng)用:

1、半導(dǎo)體生產(chǎn)制造:(光刻膠, 電介質(zhì),光子多層結(jié)構(gòu), poly-Si, Si, DLC, )

2、光伏產(chǎn)業(yè)

3、液晶顯示

4、光學薄膜

5、聚合物

6、微機電系統(tǒng)和微光機電系統(tǒng)

7、基底:透明 (玻璃, 石英, 等等) 和半透明

Thetametrisis膜厚儀*的光學模塊可容納所有光學部件:分光計、復(fù)合光源(壽命10000小時)、高精度反射探頭。因此,在準確性、重現(xiàn)性和長期穩(wěn)定性方面保證了優(yōu)異的性能。

Thetametrisis膜厚儀 FR-Scanner 通過高速旋轉(zhuǎn)平臺和光學探頭直線移動掃描晶圓片(極坐標掃描)。通過這種方法,可以在很短的時間內(nèi)記錄具有高重復(fù)性的反射率數(shù)據(jù),這使得FR-Scanner 成為測繪晶圓涂層或其他基片涂層的理想工具。

測量 8” 樣片 625 點數(shù)據(jù) < 60 秒

Thetametrisis光學厚度測量儀特征:

1、單點分析(不需要預(yù)估值)

2、動態(tài)測量

3、包括光學參數(shù)(n和k,顏色) o 為演示保存視頻

4、600 多種的預(yù)存材料

5、離線分析

6、免費軟件更新

FR-Scanner自動化超高速薄膜厚度測量儀性能參數(shù):

樣品尺寸

晶圓: 2 英寸-3 英寸-4 英寸-6 英寸-8 英寸-300mm1

角度與線性分辨率

5μm/0.1o

光斑

350μm

光譜范圍

370-1020nm

光譜規(guī)格

3648pixels/16bit

光源MTBF

10000h

厚度范圍 2

12nm-90μm

精度 3

0.02nm

穩(wěn)定性 4

0.05nm

準確度 5

1nm

折射率測量蕞小厚度 6

100nm

掃描速度 7

625meas/min

通訊接口

USB 2.0 / USB 3.0.

產(chǎn)品尺寸(mm)

485W x 457L x 500H

電源要求

110V/230V, 50-60Hz, 300W

外觀

防靜電噴涂鋼板和 304 不銹鋼面板

重量

40Kg

測量原理:

白光反射光譜(WLRS)是測量從單層薄膜或多層堆疊結(jié)構(gòu)的一個波長范圍內(nèi)光的反射量,入射光垂直于樣品表面,由于界面干涉產(chǎn)生的反射光譜被用來計算確定(透明或部分透明或*反射基板上)的薄膜的厚度、光學常數(shù)(n和k)等。

1、樣片平臺可容納任意形狀的樣品。450mm平臺也可根據(jù)要求提供。真正的X-Y掃描也可能通過定制配置。

2、硅基板上的單層SiO2薄膜的厚度值。對于其他薄膜/基質(zhì),這些值可能略有不同。

3、15天平均值的標準差平均值。樣品:硅晶片上1微米的二氧化硅

4、2*超過15天的日平均值的標準偏差。樣品:硅晶片上1微米的二氧化硅

5、測量結(jié)果與校準的光譜橢偏儀比較

6、根據(jù)材料

7、測量以8 "晶圓為基準。如有特殊要求,掃描速度可超過1000measurement /min

如果您想要了解更多關(guān)于Thetametrisis膜厚儀的產(chǎn)品信息,請聯(lián)系我們岱美儀器。

產(chǎn)品樣冊下載鏈接

 

 

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