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當(dāng)前位置:首頁  >  產(chǎn)品中心  >  晶圓缺陷檢測  >  LAZIN  >  CI8化合物半導(dǎo)體SiC、GaN晶圓檢查裝置

化合物半導(dǎo)體SiC、GaN晶圓檢查裝置

簡要描述:LODAS™ – CI8是列真株式會社推出的一款化合物半導(dǎo)體SiC、GaN晶圓檢查裝置。

  • 產(chǎn)品型號:CI8
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 產(chǎn)品資料:
  • 更新時間:2024-03-19
  • 訪  問  量: 2578

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詳細(xì)介紹

列真株式會社自創(chuàng)業(yè)以來,秉承“挑戰(zhàn)"、“創(chuàng)造"、“誠實"的經(jīng)營理念,為顧客提供可靠、可信的產(chǎn)品和服務(wù)。運用激光掃描技術(shù),專門制造、銷售半導(dǎo)體材料表面及內(nèi)部檢查、石英玻璃表面檢查等檢查裝置。其激光檢測技術(shù)可同時收集激光的反射光,透射光以及共聚焦,可一次性檢查第三代半導(dǎo)體SIC等材料表面,背面和內(nèi)部的缺陷,可探測最小缺陷為100納米,主要用于半導(dǎo)體光罩、LCD大型光罩的石英玻璃表面、內(nèi)部、背面的缺陷檢查

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特征:

  • SiC單晶晶圓和EPI晶圓都可以檢查。

  • 不僅是表面缺陷,內(nèi)部缺陷和背面缺陷也同時檢查。

  • 有助于缺陷分析的4種Review圖像。

  • “AI Classify"進(jìn)行缺陷分類、好壞判定。

  • 免維護(hù)。

  • 世界FIRST用反射散射光、透射散射光、共聚焦光的混合檢查裝置。

  • 能檢出至今為止檢查不出的缺陷。


規(guī)格:

  • 檢查激光:405nm 200mW

  • 檢查時間:200sec(尺寸:4英寸)

  • 檢查對象:2英寸、3英寸、4英寸、6英寸

  • 設(shè)備尺寸:WxDxH=450x500x730mm

  • 使用電源:AC100V~200V 10A


應(yīng)用:

SiC、GaN

半導(dǎo)體光罩(石英玻璃與涂層)

石英Wafer   Si Wafer

HDD Disk LT Wafer

藍(lán)寶石襯底

EUV光罩

光罩防塵膜



可全面檢測表面、內(nèi)部、背面的缺陷。

檢出缺陷:顆粒、劃痕、結(jié)晶缺陷。

外延缺陷                         襯底缺陷      

胡蘿卜型缺陷                  六方空洞缺陷

慧星缺陷                         層錯缺陷

三角缺陷                         微管缺陷

邊緣缺陷

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