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晶圓鍵合技術(shù)在LED應(yīng)用中的研究進(jìn)展(一)

更新時間:2023-04-13  |  點擊率:1098

0  引言


發(fā)光二極管(light-emitting diode,LED)照明是利用半導(dǎo)體的電致發(fā)光發(fā)展而來的固態(tài)照明技術(shù)。自1907年第一只發(fā)光二極管問世,到20世紀(jì)90年代,人們對LED的研究進(jìn)展緩慢,期間使用GaAs和InP等第二代半導(dǎo)體材料為光源的LED僅應(yīng)用在光電探測及顯示領(lǐng)域。直到20世紀(jì)90年代中期,日本的中村修二發(fā)明了世界上DI一只超高亮度的GaN基LED,照明領(lǐng)域的大門才向LED打開。GaN作為繼第一代半導(dǎo)體材料Si,Ge和第二代半導(dǎo)體材料GaAs,InP等之后的第三代半導(dǎo)體材料,因其出色的光電性能獲得了KONG QIAN關(guān)注和研究熱度。GaN是一種寬禁帶(3.4eV)直接帶隙半導(dǎo)體,其三元化合物InxGa1-xN的禁帶寬度可在0.7~3.4eV間變化,相應(yīng)的光譜波長可覆蓋從紫外(波長365nm)到近紅外(波長1770nm)部分,因此GaN成為光電器件中最重要的半導(dǎo)體材料,得到了廣泛的研究,高亮度GaN基LED如今已被廣泛應(yīng)用到照明、手機及全色顯示設(shè)備等諸多領(lǐng)域之中。


目前,GaN基LED主要采用在異質(zhì)襯底上外延生長工藝,其常見的襯底材料有SiC,Si和藍(lán)寶石,而它們與GaN間都存在晶格失配的問題,失配率分別為3.36%,16.9%和13.8%。由于SiC襯底的成本較高,Si與GaN晶格失配嚴(yán)重,使得藍(lán)寶石成為性價比高的襯底材料。但藍(lán)寶石襯底不導(dǎo)電,導(dǎo)熱性能也很差,使傳統(tǒng)正、倒裝LED的p電極和n電極只能位于藍(lán)寶石襯底的同一側(cè)。這種結(jié)構(gòu)需要犧牲器件部分發(fā)光區(qū)來刻蝕出n電極,且芯片工作時電流水平分布,易造成電流擁擠,會降低器件的發(fā)光效率并引發(fā)可靠性問題。隨著LED朝著大功率方向發(fā)展,芯片結(jié)溫越來越高,當(dāng)芯片結(jié)溫超過80℃時,LED的發(fā)光強度將出現(xiàn)大衰減,同時會降低LED的使用壽命。因此,傳統(tǒng)的水平結(jié)構(gòu)LED散熱不良成為限制其發(fā)展的主要原因。為解決以上問題,則需要將GaN外延層轉(zhuǎn)移到具有良好導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能的襯底上。如,將Cu、Si等作為受體襯底與GaN外延層鍵合,再使用激光剝離(LLO)技術(shù)移除藍(lán)寶石襯底,這樣便能將p,n電極分別沉積到襯底的兩側(cè),將這種結(jié)構(gòu)的LED稱為垂直結(jié)構(gòu)LED。垂直結(jié)構(gòu)LED散熱性能強,且異側(cè)的電極結(jié)構(gòu)能有效避免電流擁擠,成為各類應(yīng)用的更佳選擇。晶圓鍵合技術(shù)是制備垂直LED芯片的關(guān)鍵工藝,其*性體現(xiàn)在能給受體襯底更多的選擇性且工藝過程簡單,LED應(yīng)用也因此得到了各方面拓展,如柔性襯底LED和微LED等。晶圓鍵合技術(shù)可分為有中間介質(zhì)層鍵合和無中間介質(zhì)層鍵合,其中常見的粘合劑鍵合和金屬鍵合屬于有中間介質(zhì)層鍵合,直接鍵合屬于無介質(zhì)層鍵合。


1  晶圓鍵合技術(shù)在LED中的發(fā)展現(xiàn)狀


1.1 黏合劑鍵合


黏合劑晶圓鍵合是一種重要的鍵合技術(shù),即將有機黏合劑置于兩晶圓表面之間,后經(jīng)固化處理形成具有一定鍵合強度的中間層,從而使兩晶圓緊密貼合。該方法具有工藝簡單、成本低、引入應(yīng)力小、鍵合溫度(tB)低、對表面形貌要求低及鍵合強度高等優(yōu)點,被廣泛應(yīng)用于先進(jìn)微電子制造領(lǐng)域。


傳統(tǒng)黏合劑一般是由有機介質(zhì)、溶劑、助劑及填充劑物組成,固化溫度大多為150℃左右。常用的有機介質(zhì)有環(huán)氧樹脂、硅樹脂、丙烯酸樹脂及聚酰亞胺等,其中環(huán)氧樹脂能提供更強的黏附力,而硅樹脂能提供更高的熱穩(wěn)定性。溶劑的沸點應(yīng)高于黏合劑的固化溫度,避免在固化過程中產(chǎn)生氣泡。助劑的作用是提升黏合劑的性能,如黏附力和黏性等。填充物能改善黏合劑的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能,常用的填充物有石墨、陶瓷及金屬微粒等。


黏合劑晶圓鍵合的一般步驟為:①清洗和干燥待鍵合晶圓的表面;②在晶圓對的一個或兩個表面均勻旋涂黏合劑,黏合劑厚度應(yīng)能夠補償晶圓表面的顆?;蛉毕?;③預(yù)固化黏合劑;④將晶圓對對正貼合并置于真空腔室,在一定壓強和特定溫度下固化黏合劑;⑤吹掃腔室,冷卻以及釋放鍵合壓強。圖1為使用環(huán)氧樹脂黏合劑鍵合GaN和Si的截面SEM檢測圖像。根據(jù)不同黏合劑和具體應(yīng)用,可以增加一些其他合適的工藝步驟,如在垂直LED的制備中需要使黏合劑層導(dǎo)電,有時會對黏合劑圖形化處理。W.C.Peng等人在Si襯底上旋涂多環(huán)芳香烴作為黏合劑,并在黏合劑中填充金屬接線柱使鍵合層導(dǎo)電,與GaN基LED外延片在200℃、恒壓(1MPa)條件下鍵合60min,之后使用LLO技術(shù)剝離藍(lán)寶石襯底,在剝離過程中沒有引發(fā)GaN的脫落和破裂,表明該法得到的鍵合強度滿足后續(xù)LLO工藝要求。以耐高溫的有機膜為鍵合層,能避免LED反射層金屬在高溫下與鍵合層反應(yīng),有利于提高LED的光提取效率。最終制備出的垂直LED芯片(如圖2所示)在20mA電流下的光輸出功率比傳統(tǒng)藍(lán)寶石襯底LED高出20%,其正常工作電流也由180mA提升至280mA。

圖1  使用環(huán)氧樹脂的GaN/Si鍵合界面截面圖


圖2  鍵合層帶有金屬接線柱的垂直LED結(jié)構(gòu)示意圖


實現(xiàn)黏合劑導(dǎo)電更有效的方法是在黏合劑中填充金屬微粒,基于金屬填充的黏合劑導(dǎo)熱性能優(yōu)異,其熱傳導(dǎo)率可以達(dá)到120W/(m·K),更有利于器件散熱。H.Y.Kuo等人在柔性不銹鋼襯底表面旋涂厚度為20μm的彈性導(dǎo)電黏合劑(elas-ticconductiveadhesive,ECA),在180℃下持續(xù)15s,完成與GaN基LED的鍵合。ECA是由環(huán)氧樹脂和Ni包被的微球共同組成的,玻璃化溫度為130℃。通過使用ECA鍵合技術(shù)結(jié)合LLO技術(shù)所制備的GaN基柔性垂直LED(flexibleverticalLED,F(xiàn)VLED)顯示出了優(yōu)良的性能:主波長-電流(λd-I)及光輸出強度-電流-電壓(L-I-V)特性在器件受到外力折彎時僅發(fā)生微弱變化,幾乎可以忽略不計,表明ECA在器件受到外力時有良好的緩沖性能。面積為600μm×600μm的FVLED芯片與傳統(tǒng)LED芯片相比,120mA電流下光輸出強度(功率)提升216%(80%),正向電壓由3.51V降低到3.3V。


最近,W.S.Choi等人使用WINNOVA公司生產(chǎn)的導(dǎo)電黏合劑和導(dǎo)電柔性襯底(結(jié)構(gòu)示意圖見圖3)在室溫下制備了性能更加*的FVLED,所用襯底是由Ni包被的碳纖維織物。該FVLED與傳統(tǒng)的聚酰亞胺襯底FVLED相比,光輸出功率穩(wěn)定性得到顯著提升,且注入電流在950mA以內(nèi)時,光輸出功率隨注入電流的增加呈線性增長趨勢,而后者的光輸出功率在注入電流大于200mA時便出現(xiàn)衰減。


圖3  WINNOVA公司生產(chǎn)的導(dǎo)電黏合劑和襯底結(jié)構(gòu)示意圖


實際上,由于有機黏合劑模量低,使用有機黏合劑鍵合將引入很少的應(yīng)力,在制備柔性襯底LED上有很大優(yōu)勢。但在非柔性襯底器件的應(yīng)用中,黏合劑的導(dǎo)熱能力在經(jīng)填充物的改善后依然不夠可觀。目前的黏合劑材料在受熱環(huán)境中也存在易老化的缺點,同時,雖然黏合劑鍵合溫度較低,但當(dāng)環(huán)境溫度到達(dá)鍵合溫度時,鍵合將會失效,影響器件的可靠性。因此未來還需尋找新的黏合劑和新的低溫工藝,達(dá)到導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能更佳的無空洞鍵合并提高鍵合可靠性。(未完待續(xù))