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什么是晶圓鍵合機的三維集成技術(shù)?

更新時間:2023-02-26  |  點擊率:903
  近幾十年來,隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,高性能、小外形、低成本的電子產(chǎn)品已成為市場的基本需求。集成電路上可容納元器件的數(shù)目是符合摩爾定律預(yù)測的。但是近年來傳統(tǒng)的集成電路增長趨勢開始和摩爾定律的理想模型出現(xiàn)了差別。隨著手機和各種電子產(chǎn)品的快 速發(fā)展,芯片的功能也越來越復(fù)雜,芯片上集成晶體管的數(shù)目也隨著越來越多,同時也引起了集成電路體積的增大和功耗增高。當(dāng)晶體管的柵極長度和氧化層厚度都接近物理極限的時候,二維集成最終將走到道路的盡頭。
 
  遵循摩爾定律的三維集成技術(shù)可以作為解決上述問題的方案。晶圓鍵合機三維集成方法的概念是基于集成電路的新位置:Z軸。這意味著晶片位置不再局限于X-Y二維平面上了。因此,我們可以實現(xiàn)更大密度的集成電路堆疊,以縮短互連,也減少了可見表面,從而縮小晶片的尺寸和提高晶片的效率,進而提高了應(yīng)用范圍。此外,晶圓鍵合機三維集成方案可以結(jié)合不同的集成電路本身的較佳工藝,避免了效率低和產(chǎn)量低的問題。
 
  下面介紹了幾種不同的晶圓類型和堆疊方式,以及三維集成所面對的測試方法、可靠性、材料選擇等挑戰(zhàn)。
 
  類型:
  1、體硅。體硅是晶圓鍵合機三維集成中常用的晶圓類材料。原因不只在它的成本,還有成熟的制作過程。即使當(dāng)其他種類的晶片被用作頂部晶片時,底部晶片通常仍然是體硅晶片。
  2、絕緣硅(SOI)。SOI晶片表面具有覆蓋的氧化層,可以被均勻地減薄,因為氧化層起到阻礙蝕刻的作用。蝕刻過程可采用機械研磨、濕法刻蝕、干法刻蝕。最重要的是,因為最終的厚度可以均勻地減薄,使用SOI可以實現(xiàn)高密度的三維集成。SOI結(jié)構(gòu)可有效的避免閂鎖現(xiàn)象。然而,堆疊結(jié)構(gòu)的防靜電能力可能會降低,并且密集的設(shè)備層還有潛在的散熱問題。
  3、玻璃。在三維集成中的玻璃晶圓通常用于放置頂部晶片。因此,用于此目的的玻璃晶圓稱為載體晶圓。當(dāng)玻璃暫時附著頂部晶圓時,可以對頂部晶圓的襯底減薄。在被減薄后的晶圓鍵合在底部晶圓后,移除玻璃。玻璃晶圓的透明特性也為良好的鍵合結(jié)果提供了幫助。對于各種類型的晶圓堆疊,我們應(yīng)該注意到,如果任何帶電體接觸或甚至接近晶圓,晶圓都可能會產(chǎn)生感應(yīng)電荷。在兩個晶圓的堆疊過程中,只要一個晶片充電,靜電放電事件都有可能發(fā)生。
 
  堆疊方式:
  根據(jù)兩晶片堆疊方向,分為兩種不同的堆疊晶片方式:面對面和面對背。晶片堆疊方向的影響是非常巨大的,將會影響到電路的對稱性,制造的難度,電容的互連等方面。這兩種堆疊方法均已被應(yīng)用在三維集成應(yīng)用中。甚至兩種堆疊方法的共同使用也是存在的。
  1、面對面堆疊法。對此類型晶片來說,兩個晶片的金屬層(面部)通過TSV相連在電路中。從制造技術(shù)的角度來看,這種集成方式易于投 入應(yīng)用,并且不需要額外的處理晶片。但是需要考慮到晶圓到晶圓的對稱性問題。這意味著在設(shè)計頂部晶片時,需要對電路進行鏡像操作。同時,還要考慮到兩個晶片的對稱性和對準的位置。
  2、面對背堆疊法。面對背型晶圓,一個晶片的金屬層(面部)通過TSV和另一個晶片的襯底(背部)相連,上面的晶圓應(yīng)減薄。與面對面型相比,這種方法增加了過程的復(fù)雜性。然而,晶圓到晶圓的對稱性問題就不存在了。而且需要處理的晶片是顯而易見的,并且晶圓也足夠薄,校準過程變得容易得多。
  由以上介紹可知,先通孔工藝和后通孔工藝有著各自的特點,所以在實際電路集成過程中,要根據(jù)不同的需求合理地選擇堆疊方式。
 
  三維集成的優(yōu)勢和挑戰(zhàn)
  不同于傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù),晶圓鍵合機三維集成提供了更多的優(yōu)勢,包括:
  1、多個不同器件在垂直方向相互連接,縮短互連,也減少了可見表面,從而縮小晶片的尺寸,增大了集成密度;
  2、各芯片之間連線的縮短,加快了芯片處理速度;
  3、低阻容帶來的低功耗和更高的運行速度;
  4、整體尺寸小,降低了集成成本。然而,高集成密度帶來的散熱問題、對齊方式、材料的選擇、三維設(shè)計CAD工具、設(shè)計和測試方法等挑戰(zhàn),仍然需要克服。